Тиристор со брз прекинувач (висок стандард YC серија)

Опис

Стандардот за производство и технологијата за обработка на GE беа воведени и користени од RUNAU Electronics од 1980-тите.Целосната состојба на производство и тестирање целосно се совпаѓаше со барањето на пазарот во САД.Како пионер во производството на тиристори во Кина, RUNAU Electronics ја обезбеди уметноста на државните електронски уреди за моќност на САД, европските земји и глобалните корисници.Тој е висококвалификуван и оценет од клиентите и се создадени повеќе големи добивки и вредност за партнерите.

Вовед:

1. Чип

Тиристорскиот чип произведен од RUNAU Electronics е употребена технологија на синтерувана легура.Нафората од силициум и молибден беше синтерувана за легирање со чист алуминиум (99,999%) во средина со висок вакуум и висока температура.Администрацијата на карактеристиките на синтерување е клучниот фактор што влијае на квалитетот на тиристорот.Знаењето на RUNAU Electronics покрај управувањето со длабочината на спојот на легура, плошноста на површината, шуплината на легура, како и вештина за целосна дифузија, шема на прстенест круг, специјална структура на портата.Исто така, специјалната обработка беше употребена за да се намали животниот век на носачот на уредот, така што брзината на рекомбинација на внатрешниот носач е значително забрзана, обратното полнење на уредот е намалено, а брзината на префрлување е следствено подобрена.Ваквите мерења беа применети за да се оптимизираат карактеристиките на брзо префрлување, карактеристиките во состојба и својствата на пренапонска струја.Изведбата и спроводливоста на тиристорот е сигурна и ефикасна.

2. Капсулација

Со строго контролирање на плошноста и паралелизмот на молибденската обланда и надворешното пакување, чипот и молибденската обланда ќе бидат цврсто и целосно интегрирани со надворешното пакување.Таквите ќе ја оптимизираат отпорноста на пренапонската струја и високата струја на краток спој.И мерењето на технологијата за испарување на електрони беше употребено за да се создаде дебел алуминиумски филм на површината на силиконската обланда, а слојот од рутениум обложен на површината на молибден значително ќе ја подобри отпорноста на термички замор, работниот век на тиристорот со брз прекинувач значително ќе се зголеми.

Техничка спецификација

1. Тиристор со брз прекинувач со чип од легура, произведен од RUNAU Electronics, способен да обезбеди целосно квалификувани производи од американскиот стандард.
2. I_GT, В_GTи јас_Hсе тестните вредности на 25℃, освен ако не е поинаку наведено, сите други параметри се тест вредности под T_jm;
3. I²t=I²F SM×tw/2, tw= Синусоидална полубранова тековна ширина на базата.На 50 Hz, И²t=0,005I²FSM (А²S);
4. На 60 Hz: И_ФСМ(8,3ms)=I_ФСМ(10ms)×1,066,Т_j=T_j;Јас²t(8,3ms)=I²t(10ms)×0,943,T_j=T_jm

Параметар: