Неодамна во Рунау беше воспоставена новата симулациска платформа за дизајн на енергетски полупроводнички уред.Со помош на напредна платформа за симулација и комбиниран тест и анализа, длабинското истражување за структурата на уредот и поврзаната основна теорија се спроведе плодно.Употребата на најсовремената теорија и платформа за истражување ја натера компанијата да ја развие и совлада клучната технологија за обработка на 5“ тиристорски чип, GTO и IGCT.Целосна процесна способност за производство на тиристор, исправувачка диода, шотки модул, IGCT, IGBT, тиристор со висок напон и висока струја, како и за изградба на пилот-тест платформа за ултра-брзи диоди за обновување, сите беа успешно достапни во Рунау.Дополнителен солиден чекор за изградба на производствена база на електрични уреди за електроника во Кина, ние сме на пат.